μΌμ±μ μ 10nm νν« κ³΅μ μΌλ‘ λ κ°λ ₯ν΄μ§ μ€λ§νΈ λλ°μ΄μ€μ λλ, μμλ
Έμ€ 9 8895 APλ₯Ό μ 보μ΄λ€...
μ€λμ μΌμ± μ€λ§νΈν°μ μκ² ν μμ΄μ½ κ°μ μ‘΄μ¬. μ λ κ°€λμμ λ¨Έλ¦¬κ° λλ μμλ
Έμ€(Exynos) νλ‘μΈμλ₯Ό κ·Έλ κ² λ°λΌλ³΄κ³ μλλ°μ. κ°μ ARMμ κΈ°λ°μΌλ‘ νμ§λ§, ννν ν΅μ κΈ°μ μ κ°κ³ λμ¬λ²½μ νμ κ°κ³ μλ νμ»΄κ³Ό λλ‘ κ²½μνκ³ λλ‘ νμ
νλ©΄μ μΌμ±μ μκ° ν€μμ¨ μμλ
Έμ€λ 맀λ
μ°©μ€ν μ
λ°μ΄νΈλλ©΄μ λλν μΌμ± μ€λ§νΈν°μ λ¨Έλ¦¬κ° λκ³ μμ΅λλ€. 10nm νν« κ³΅μ μΌλ‘ λ ν λ²μ μ§νλ₯Ό μ΄λ€λΈ μΌμ±μ μμ λͺ¨λ°μΌ AP, μμλ
Έμ€ 9 8895... μ¬ν΄λ μ΅μ΄λ‘ 10nm νν«(FinFET) 곡μ μ μ μ©ν μμλ
Έμ€ 9(8895)λ₯Ό μ 보μλκ΅°μ. κΈ°μ‘΄ 14nm 곡μ λλΉ μ±λ₯μ 27% ν₯μλκ³ , μλΉμ λ ₯μ 40%λ μ κ°λλ€κ³ νλ 곡μ μ λμ΄μ¬λ¦° λμ ν‘ν‘ν λ³Ό κ² κ°μλ°μ. ν₯λ―Έλ‘μ΄ κ±΄ μ΅λ 5..
N* Tech/Device
2017. 3. 6. 22:00