λ°˜μ‘ν˜•
μ‚Όμ„±μ „μž 10nm ν•€νŽ« κ³΅μ •μœΌλ‘œ 더 κ°•λ ₯해진 슀마트 λ””λ°”μ΄μŠ€μ˜ λ‘λ‡Œ, μ—‘μ‹œλ…ΈμŠ€ 9 8895 APλ₯Ό 선보이닀...

였늘의 μ‚Όμ„± μŠ€λ§ˆνŠΈν°μ„ 있게 ν•œ μ•„μ΄μ½˜ 같은 쑴재. μ €λŠ” κ°€λŸ­μ‹œμ˜ 머리가 됐던 μ—‘μ‹œλ…ΈμŠ€(Exynos) ν”„λ‘œμ„Έμ„œλ₯Ό κ·Έλ ‡κ²Œ 바라보고 μžˆλŠ”λ°μš”. 같은 ARM을 기반으둜 ν•˜μ§€λ§Œ, νƒ„νƒ„ν•œ 톡신 κΈ°μˆ μ„ κ°–κ³  λ„˜μ‚¬λ²½μ˜ νž˜μ„ κ°–κ³  있던 퀄컴과 λ•Œλ‘  κ²½μŸν•˜κ³  λ•Œλ‘œ ν˜‘μ—…ν•˜λ©΄μ„œ μ‚Όμ„±μ „μžκ°€ ν‚€μ›Œμ˜¨ μ—‘μ‹œλ…ΈμŠ€λŠ” 맀년 μ°©μ‹€νžˆ μ—…λ°μ΄νŠΈλ˜λ©΄μ„œ λ˜‘λ˜‘ν•œ μ‚Όμ„± 슀마트폰의 머리가 되고 μžˆμŠ΅λ‹ˆλ‹€. 10nm ν•€νŽ« κ³΅μ •μœΌλ‘œ 또 ν•œ 번의 진화λ₯Ό 이뀄낸 μ‚Όμ„±μ „μžμ˜ λͺ¨λ°”일 AP, μ—‘μ‹œλ…ΈμŠ€ 9 8895... μ˜¬ν•΄λŠ” 졜초둜 10nm ν•€νŽ«(FinFET) 곡정을 μ μš©ν•œ μ—‘μ‹œλ…ΈμŠ€ 9(8895)λ₯Ό μ„ λ³΄μ˜€λ”κ΅°μš”. κΈ°μ‘΄ 14nm 곡정 λŒ€λΉ„ μ„±λŠ₯은 27% ν–₯μƒλ˜κ³ , μ†ŒλΉ„μ „λ ₯은 40%λ‚˜ μ ˆκ°λλ‹€κ³  ν•˜λ‹ˆ 곡정을 λŒμ–΄μ˜¬λ¦° 덕을 ν†‘ν†‘νžˆ λ³Ό 것 κ°™μ€λ°μš”. ν₯미둜운 건 μ΅œλŒ€ 5..

N* Tech/Device 2017. 3. 6. 22:00

loading